An improved pixel design for a CMOS image sensor with a small feature size is described. In conventional image sensors of this type, the quantum efficiency is typically reduced as a result of the decreased thickness of the top n-type layer of the photodiode and the presence of an intervening p-type layer which is higher doped than the substrate. In the pixel design of the invention, the higher doped p-type layer underneath the photodiode is omitted while barrier regions channel the carriers generated by the impinging radiation towards the top n-layer of the photodiode. A high quantum efficiency is thereby attained in spite of a shrinking feature size. The novel pixel design can also incorporate anti-blooming protection.

Описана улучшенная конструкция пиксела для датчика изображения cmos с малым размером характеристики. В обычные датчики изображения этого типа, эффективность суммы типично уменьшена в результате уменьшитой толщины верхнего слоя н-tipa фотодиода и присутсвия вмешиваясь слоя п-tipa который более высоко дан допинг чем субстрат. В конструкции пиксела вымысла, снят более высокий данный допинг слой п-tipa под фотодиодом пока зоны барьера направляют несущие произведенные радиацией impinging к верхнему н-sloh фотодиода. Высокая эффективность суммы таким образом достигана in spite of shrinking размер характеристики. Конструкция пиксела романа может также включать анти-zaqveta4 предохранение.