A thin film manufacturing method is provided. The method includes the step of chemically adsorbing a first reactant on a substrate by injecting the first reactant into a chamber in which the substrate is loaded. Physisorbed first reactant on the chemically adsorbed first reactant is removed by purging or pumping the chamber. After the first reactant is densely chemically adsorbed on the substrate by re-injecting the first reactant into the chamber, the physisorbed first reactant on the dense chemisorbed first reactant is removed by purging or pumping the chamber. A second reactant is chemically adsorbed onto the surface of the substrate by injecting the second reactant into the chamber. Physisorbed second reactant on the chemisorbed first reactant and the second reactant is removed by purging or pumping the chamber. A solid thin film is formed by chemical exchange through densely adsorbing the second reactant onto the substrate by re-injecting the second reactant into the chamber. According to the present invention, it is possible to obtain a precise stoichiometric thin film having a high film density, since the first reactant and the second reactant are densely adsorbed and the impurities are substantially removed by pumping or purging

Une méthode de fabrication de la couche mince est fournie. La méthode inclut l'étape d'adsorber chimiquement un premier réactif sur un substrat en injectant le premier réactif dans une chambre dans laquelle le substrat est chargé. Le premier réactif de Physisorbed sur le premier réactif chimiquement adsorbé est éliminé en purgeant ou en pompant la chambre. Après que le premier réactif soit en masse chimiquement adsorbé sur le substrat re-en injectant le premier réactif dans la chambre, physisorbed le premier réactif sur le dense chemisorbed le premier réactif est enlevé en purgeant ou en pompant la chambre. Un deuxième réactif est chimiquement adsorbé sur la surface du substrat en injectant le deuxième réactif dans la chambre. Le réactif de Physisorbed deuxièmes sur chemisorbed le premier réactif et le deuxième réactif est éliminé en purgeant ou en pompant la chambre. Une couche mince pleine est constituée par échange chimique en adsorbant en masse le deuxième réactif sur le substrat re-en injectant le deuxième réactif dans la chambre. Selon la présente invention, il est possible d'obtenir une couche mince stoechiométrique précise ayant une densité élevée de film, puisque le premier réactif et le deuxième réactif sont en masse adsorbés et les impuretés sont sensiblement enlevées par le pompage ou la purge