A Group III metal element is heated so as to melt, a gas NH.sub.3 containing nitrogen atoms is injected into a melt 3 of the Group III metal element at a temperature lower than the melting point of a nitride to be obtained, thereby producing a nitride microcrystal of the Group III element having high wettability with the melt 3 in the melt 3 of the Group III metal element. A mixture of the Group III nitride microcrystal obtained as mentioned above and the Group III metal element solution is used as a starting material of a liquid phase growth or Group III nitride powders obtained by removing the Group III metal material from the mixture are used as a starting material of a vapor phase growth. Further, a seed crystal or a substrate crystal is immersed in a melt of a Group III element such as gallium, bubbles of a gas containing nitrogen such as ammonia are intermittently come into contact with the surface of the crystal, and the Group III element and the gas containing nitrogen are allowed to react with each other on the surface of the seed crystal or the substrate crystal, thereby allowing the nitride crystal of the Group III element to be grown on the surface of the seed crystal or substrate crystal.

Ein Gruppe III Metalelement wird geheizt, um zu schmelzen, ein Gas NH.sub.3, das Stickstoffatome enthält, in eine Schmelze 3 des Gruppe III Metalelements bei einer Temperatur niedriger als der Schmelzpunkt eines erreicht zu werden eingespritzt wird Nitrids, dadurch produziert man ein Nitrid microcrystal vom Gruppe III Element, das hohe Benetzbarkeit mit der Schmelze 3 in der Schmelze 3 des Gruppe III Metalelements hat. Eine Mischung vom Gruppe III Nitrid microcrystal erreicht, wie oben erwähnt und von der Gruppe III Metalelementlösung wird als Ausgangsmaterial eines flüssigen Phase Wachstums benutzt, oder Gruppe III die Nitridpuder, die erreicht werden, indem man das Gruppe III Metallmaterial von der Mischung entfernt, werden als Ausgangsmaterial eines Dampfphase Wachstums benutzt. Weiter wird ein Impfkristall oder ein Substratkristall in einer Schmelze eines Gruppe III Elements wie Gallium untergetaucht, werden Luftblasen eines Gases, das Stickstoff wie Ammoniak enthält, stoßweise in Kontakt mit der Oberfläche des Kristalles gekommen, und das Gruppe III Element und das Gas, die Stickstoff enthält, mit einander auf der Oberfläche des Impfkristalls oder des Substratkristalles werden reagieren lassen, dadurch erlaubt man, daß der Nitridkristall des Gruppe III Elements auf der Oberfläche des Impfkristalls oder des Substratkristalles gewachsen wird.