A system and method for programming a magnetoresistive memory array by applying current on a memory line aligned along the easy axis of the memory array, where the current generates a magnetic field that is independently sufficient to program at least two multi-state magnetoresistive memory elements coupled along the memory line. The memory array may be organized as one or more column memory lines along the easy axis and one or more row memory lines along a hard axis. In this configuration, the column drive circuitry includes a current source for each column memory line that is capable of programming all of the memory elements along the respective column memory line. Each column current source may assert a lesser or medium current level that generates a magnetic field that is insufficient alone to program the logic state of any memory element in the memory array. The medium current level, however, is sufficient to program each memory element along the corresponding column memory line when the memory element is also coupled along a row memory line that also receives a medium level current from a corresponding row current source. Each column current source may be one multi-state current source or may be several current sources to apply the appropriate programming current levels. The entire memory array may be programmed in one write operation by asserting an appropriate current level on each column and row memory line.

Um sistema e um método para programar uma disposição magnetoresistive da memória aplicando a corrente em uma linha da memória alinharam ao longo da linha central fácil da disposição da memória, onde a corrente gera um campo magnético que seja independentemente suficiente programar ao menos dois elementos magnetoresistive da memória do multi-estado acoplados ao longo da linha da memória. A disposição da memória pode ser organizada como um ou mais linha da memória da coluna ao longo da linha central fácil e um ou mais linhas da memória da fileira ao longo de uma linha central dura. Nesta configuração, os circuitos da movimentação da coluna incluem uma fonte atual para cada linha da memória da coluna que é capaz de programar todos os elementos da memória ao longo da linha respectiva da memória da coluna. Cada fonte atual da coluna pode afirmar um pouco ou um nível atual médio que gere um campo magnético que seja insuficiente sozinho programar o estado da lógica de todo o elemento da memória na disposição da memória. O nível atual médio, entretanto, é suficiente programar cada elemento da memória ao longo da linha correspondente da memória da coluna quando o elemento da memória é acoplado também ao longo de uma linha da memória da fileira que receba também uma corrente nivelada média de uma fonte correspondente da corrente da fileira. Cada fonte atual da coluna pode ser uma fonte atual do multi-estado ou pode ser diversas fontes atuais para aplicar os níveis atuais de programação apropriados. A disposição inteira da memória pode ser programada em uma escreve a operação afirmando um nível atual apropriado em cada linha da coluna e da memória da fileira.