The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, which has an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor formed in the same semiconductor substrate, comprises ion implantation processes using the same photoresist as masks. The ion implantation processes include a step of injecting an impurity ion into the semiconductor substrate 1 to form the source and drain of an n-channel MOSFET 3n, a p type semiconductor region 4p for suppressing the short channel effect, and an n-well power supply region 10n, and a step of injecting an impurity ion into the semiconductor substrate 1 to form the source and drain of a p-channel MOSFET 3p, an n type semiconductor region 4n for suppressing the short channel effect, and a p-well power supply region 10p.

Метод изготовлять приспособление интегрированной цепи полупроводника, которое имеет транзистор mis н-kanala и транзистор mis п-kanala сформировал в таком же субстрате полупроводника, состоит из процессов вживления иона использующ такой же фоторезист как маски. Процессы вживления иона вклюают шаг впрыскивать ион примеси в субстрат 1 полупроводника для того чтобы сформировать источник и сток mosfet 3n, зоны полупроводника 4p типа п для подавлять скоро влияние канала, и зоны 10n источника питания n-well, и шага н-kanala впрыскивать ион примеси в субстрат 1 полупроводника для того чтобы сформировать источник и сток mosfet 3p, зоны полупроводника 4n типа н для подавлять скоро влияние канала, и зоны 10p п-kanala источника питания p-well.