A boost circuit for a ferroelectric memory operated in a low voltage supply environment is achieved by floating a local supply voltage and using a single boost via one or more appropriately sized ferroelectric boost capacitors to elevate the local supply level to the desired boosted voltage. When boosting is not required, the local supply voltage is tied to the system external power supply through an appropriately sized PMOS transistor.

Un circuit de poussée pour une mémoire ferroelectric actionné dans un environnement d'approvisionnement de basse tension est réalisé en flottant une tension d'alimentation locale et en employant une poussée simple par l'intermédiaire d'un ou plusieurs condensateurs ferroelectric convenablement classés de poussée pour élever le niveau local d'approvisionnement à la tension amplifiée désirée. Quand amplifier n'est pas exigé, la tension d'alimentation locale est attachée à l'alimentation d'énergie externe de système par un transistor convenablement classé de PMOS.