A Coulomb-blockade element includes a silicon layer formed on a substrate through an insulating film. The silicon layer includes a narrow wire portion and first and second electrode portions. The narrow wire portion serves as a conductive island for confining a charge. The first and second electrode portions are formed to be connected to the two ends of the narrow wire portion and are wider than the narrow wire portion. Each of the first and second electrode portions has constrictions on at least one of the upper and lower surfaces thereof, which make a portion near the narrow wire portion thinner than the narrow wire portion.

Un élément de Coulomb-blocus inclut une couche de silicium formée sur un substrat par un film isolant. La couche de silicium inclut une partie étroite de fil et d'abord et les deuxièmes parties d'électrode. La partie étroite de fil sert d'île conductrice à confiner une charge. Les premières et deuxièmes parties d'électrode sont formées pour être reliées aux deux extrémités de la partie étroite de fil et sont plus larges que la partie étroite de fil. Chacune des premières et deuxièmes parties d'électrode a des constrictions sur au moins un des intrados supérieurs et en, qui font une partie près du fil étroit partager le diluant que la partie étroite de fil.