A method is provided for fabricating a MEMS structure from a silicon-on insulator (SOI) wafer that has been bonded to a support substrate, such as a glass substrate, in order to form silicon components that can be both precisely and repeatedly formed. The SOI wafer includes a handle wafer, an insulating layer disposed on the handle wafer and a silicon layer disposed on the insulating layer. At least one trench is etched through the silicon layer by reactive ion etching. By utilizing the reactive ion etching, the trenches can be precisely defined, such as to within a tolerance of 0.1 to 0.2 microns of a predetermined width. After bonding the support substrate to the silicon layer, the handle wafer is removed, such as by reactive ion etching. Thereafter, the insulating layer is selectively removed, again typically by reactive ion etching, to form the resulting MEMS structure that has a very precise and repeatable size and shape, such as to within a fraction of a micron. As such, a MEMS structure is also provided according to the present invention in which a plurality of silicon components that vary in size by no more than 0.2 microns are bonded to a support substrate, such as to form an array having a plurality of MEMS elements that have the same or substantially similar performance characteristics.

Метод обеспечен для изготовлять структуру MEMS от а кремни-na вафле изолятора (SOI) была скреплена к субстрату поддержки, such as стеклянный субстрат, для того чтобы сформировать компоненты кремния которые можно и точно и повторно сформировать. Вафля SOI вклюает вафлю ручки, изолируя слой размещанный на вафле ручки и слой кремния размещанный на изолируя слое. По крайней мере один шанец вытравлен через слой кремния реактивным вытравливанием иона. Путем использовать реактивное вытравливание иона, шанцы можно точно определить, such as к внутри допуск от 0.1 до 0.2 микронов предопределенной ширины. После того как скрепляющ субстрат поддержки к слою кремния, вафля ручки извлекается, such as реактивное вытравливание иона. В дальнейшем, изолируя слой селективно извлекается, снова типично реактивным вытравливанием иона, для того чтобы сформировать приводя к структуру MEMS которая имеет очень точные и repeatable размер и форму, such as к внутри часть микрона. Как такие, обеспечены, что согласно присытствыющему вымыслу в котором множественность компонентов кремния которыми поменяйте в размере no more чем 0.2 микрона скреплена к субстрату поддержки, such as формирует структура MEMS также блок имея множественность элементов MEMS которые имеют такое же или существенн подобные эксплуатационные характеристики.