A write circuit for a large array of memory cells of a Magnetic Random Access Memory ("MRAM") device. The write circuit can provide a controllable, bi-directional write current to selected word and bit lines without exceeding breakdown limits of the memory cells. Additionally, the write circuit can spread out the write currents over time to reduce peak currents.

Γράψτε το κύκλωμα για μια μεγάλη σειρά κυττάρων μνήμης μιας μαγνητικής τυχαίας συσκευής μνήμης πρόσβασης ("MRAM"). Γράψτε ότι το κύκλωμα μπορεί να παρέχει έναν ελέγξιμο, αμφίδρομος γράψτε το ρεύμα στις επιλεγμένες γραμμές λέξης και κομματιών χωρίς υπέρβαση των ορίων διακοπής των κυττάρων μνήμης. Επιπλέον, γράψτε ότι το κύκλωμα μπορεί να διαδώσει έξω γράφει τα ρεύματα κατά τη διάρκεια του χρόνου να μειωθούν τα μέγιστα ρεύματα.