The amorphous and polycrystalline structures of a GaN-based semiconductor are grown on the surface of a compound semiconductor layer showing by formation of In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.(1-x-y) N(0.ltoreq.(x,y).ltoreq.1.0000, and (x+y).ltoreq.1.0000). More specified from others, different kinds of the amorphous and polycrystalline structures of the InAlGaN based compound semiconductor layers grown on the surface of the InAlGaN based compound semiconductor can be functionally well significantly, and can be applied together or individually in different band-gap designs for different compound semiconductors.

Die formlosen und polykristallinen Strukturen eines GaN-gegründeten Halbleiters werden auf der Oberfläche einer Verbindungshalbleiterschicht gewachsen, die durch Anordnung von In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.(1-x-y) N(0.ltoreq.(x, y).ltoreq.1.0000 darstellt und (x+y).ltoreq.1.0000). Mehr spezifiziert von anderen, gründeten unterschiedliche Arten der formlosen und polykristallinen Strukturen des InAlGaN die Verbindungshalbleiterschichten, die auf der Oberfläche des InAlGaN gewachsen wurden, gegründeter, den Verbindungshalbleiter funktionell gut sein kann erheblich und können in den unterschiedlichen Band-Abstand Designs für unterschiedliche Verbindungshalbleiter zusammen oder einzeln zugetroffen werden.