A process for producing a thin film of a fluoride comprising reacting a gaseous fluorinating agent and gas of a volatile organometallic compound in a gas phase in a reactor, wherein a plasma of the gaseous fluorinating agent obtained by activating the gaseous fluorinating agent by microwave under a condition of electron cyclotron resonance is used as a fluorine source, and the fluoride is deposited on a substrate by reacting the plasma of the gaseous fluorinating agent with the gas of a volatile organometallic compound at outside of an area of generation of the plasma. A thin film of a fluoride which contains very little impurities such as carbon, oxygen, and organic substances, and is highly pure, transparent, and consolidated is produced.

Процесс для производить тонкую пленку фторида состоя из реагирующ газообразные fluorinating вещество и газ испаряющей металлоорганической смеси в участке газа в реакторе, при котором плазма газообразного fluorinating вещества полученного путем активировать газообразное fluorinating вещество микроволной под условием резонанса циклотрона электрона использована как источник фтора, и фториде депозирован на субстрате путем реагировать плазму газообразного fluorinating вещества с газом испаряющей металлоорганической смеси на вне зоне поколения плазмы. Тонкая пленка фторида содержит очень маленькие примеси such as углерод, кислород, и органические вещества, и высоки чисто, прозрачно, и консолидировано производит.