A technique is described for the formation of nano and micro-scale patterns and optical wave-guides, by using Bipolar Electrochemistry. Atoms are deposited or removed from a surface by creating and moving ions into or out of a medium by the use of electric fields, currents, and induced surface charges. To improve the deposition process, lasers, electron, and ion lenses can be positioned over the surface being deposited to further define the pattern being created. This technique does not harm the surface or crystal lattice of the substrate being deposited on and is powerful enough to transport dopants completely through a substrate. The technique can be used to expose electron beam activated resist which can be used in traditional fabrication processes or to create wave-guides connecting separate optical or electro-optical devices together. As a result smaller and newer types of integrated circuits, electronic devices, and micro machines can be fabricated. The technique can also be used to improve current fabrication processes, the repair of faulty devices, and the imaging of surfaces and hidden dopants.

Une technique est décrite pour la formation des modèles de nano et de micro-échelle et des guides d'ondes optiques, en employant l'électrochimie bipolaire. Des atomes sont déposés ou enlevés d'une surface en créant et en déplaçant des ions dans ou hors d'un milieu par l'utilisation des champs électriques, des courants, et des frais extérieurs induits. Pour améliorer le procédé de dépôt, des lasers, l'électron, et les objectifs d'ion peuvent être placés au-dessus de la surface étant déposée pour définir plus loin le modèle étant créé. Cette technique ne nuit pas au trellis extérieur ou en cristal du substrat étant déposé dessus et est assez puissante pour transporter des dopants complètement par un substrat. La technique peut être employée pour exposer le faisceau d'électrons activé résistent qui peut être employé dans des processus traditionnels de fabrication ou créer des guides d'ondes reliant les dispositifs optiques ou électro-optiques séparés ensemble. En conséquence de plus petits et plus nouveaux types des circuits intégrés, des dispositifs électroniques, et de machines micro peuvent être fabriqués. La technique peut également être employée pour améliorer des processus courants de fabrication, la réparation des dispositifs défectueux, et la formation image des surfaces et des dopants cachés.

 
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> Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor structures using resistless electron beam lithography

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