A method for fabricating a sub-micron structure of etch-resistant metal/semiconductor compound on a substrate of semiconductor material comprises the step of depositing onto the substrate a layer of metal capable of reacting with the semiconductor material to form etch-resistant metal/semiconductor compound, and the step of producing a focused electron beam. The focused electron beam is applied to the layer of metal to locally heat the metal and semiconductor material and cause diffusion of the metal and semiconductor material in each other to form etch-resistant metal/semiconductor compound. The focused electron beam is displaced onto the layer of metal to form the structure of etch-resistant metal/semiconductor compound. Finally, the layer of metal is wet etched to leave on the substrate only the structure of metal/semiconductor compound. Following wet etching of the layer of metal, an oxygen plasma etch can be conducted to remove a carbon deposit formed at the surface of the structure of etch-resistant metal/semiconductor compound. Also, the substrate may be subsequently etched to remove a thin layer of metal rich semiconductor material formed at the surface of the substrate by reaction, at room temperature, of the metal and semiconductor material with each other.

Eine Methode für das Fabrizieren einer sub-micron Struktur des ätzen-beständigen metal/semiconductor Mittels auf einem Substrat des Halbleitermaterials enthält den Schritt vom Niederlegen auf das Substrat ein die Schicht Metall fähig zum Reagieren mit dem Halbleitermaterial zum ätzen-beständigen metal/semiconductor Mittel der Form und den Schritt vom Produzieren eines fokussierten Elektronenstrahls. Der fokussierte Elektronenstrahl wird an der Schicht des Metalls angewendet, um das Metall- und Halbleitermaterial am Ort zu heizen und Diffusion (Zerstäubung) des Metall- und Halbleitermaterials in einander zum ätzen-beständigen metal/semiconductor zu verursachen Mittel der Form. Der fokussierte Elektronenstrahl wird auf die Schicht des Metalls verlegt, um die Struktur des ätzen-beständigen metal/semiconductor Mittels zu bilden. Schließlich ist die Schicht des Metalls zum Urlaub auf dem Substrat nur die Struktur des metal/semiconductor Mittels geätzt nasses. Nach nasser Radierung der Schicht des Metalls, der Sauerstoffplasmaätzung kann geleitet werden, um einen Verbrennungsrückstand zu entfernen, der an der Oberfläche der Struktur des ätzen-beständigen metal/semiconductor Mittels gebildet wird. Auch das Substrat kann nachher geätzt werden, um eine Dünnschicht Metalldes reichen Halbleitermaterials zu entfernen, das an der Oberfläche des Substrates durch Reaktion, bei der Raumtemperatur, des Metall- und Halbleitermaterials mit einander gebildet wird.