A semiconductor device having: a first interconnect or electrode formed on a substrate; an organic insulation film which is formed covering the first interconnect or electrode and in which an interconnect trench and an interlayer connection hole reaching from the interconnect trench to the first interconnect or electrode are formed; an inorganic insulation film which is formed covering the side of the interconnect trench and the interlayer connection hole, and into at least surface part of which nitrogen is introduced; a second interconnect or electrode buried into the interconnect trench through the inorganic insulation film; and a buried conductive layer which is formed in the interlayer connection hole and connects between the between the first interconnect or electrode and the second interconnect or electrode.

Um dispositivo de semicondutor que tem: um primeiro interconnect ou elétrodo deram forma em uma carcaça; uma película orgânica da isolação em que sejam dadas forma que cobrem o primeiro interconnect ou elétrodo e em quais uma trincheira do interconnect e um furo da conexão do interlayer que alcançam da trincheira do interconnect ao primeiro interconnect ou elétrodo sejam dados forma; uma película inorgánica da isolação que seja dada forma que cobre o lado da trincheira do interconnect e do furo da conexão do interlayer, e ao menos na parte de superfície de que o nitrogênio é introduzido; um segundo interconnect ou elétrodo enterrado na trincheira do interconnect através da película inorgánica da isolação; e uma camada condutora enterrada que seja dada forma no furo da conexão do interlayer e conecte entre no meio o primeiro interconnect ou elétrodo e o segundo interconnect ou elétrodo.