Disclosed are organic thin film transistors that can be either n-channel or p-channel transistors, depending on biasing conditions. Such transistors are expected to find wide use in complementary circuits. A specific embodiment of the inventive transistor comprises a 15 nm thick layer of .alpha.-6T with a 40 nm thick layer of C.sub.60 thereon. The latter was protected against degradation by the ambient by means of an appropriate electrically inert layer, specifically by a 40 nm .alpha.-6T layer.

Показаны органические транзисторы тонкой пленки могут быть или транзисторы н-kanala или п-kanala, в зависимости от склоняя условий. Ы, что находят такие транзисторы широкую пользу в комплементарных цепях. Специфически воплощение изобретательного транзистора состоит из 15 слоев nm толщиных alpha.-6T с 40 слоями nm толщиными C.sub.60 thereon. Последнее было защищено против ухудшения окружающим посредством соотвествующего электрически инертного слоя, специфически 40 слоями alpha.-6T nm.