A passivation layer is formed by coating a flowable insulating material on the substrate where a thin film transistor and a storage capacitor electrode, and a pixel electrode is formed on the passivation layer. A portion of the passivation layer is etched using the pixel electrode as a mask to make a groove on the thin film transistor, and then a black matrix is formed by filling an organic black photoresist in the groove. To increase the storage capacitance, a portion of the passivation layer is removed or to form a metal pattern on the storage capacitor electrode. A flowable insulating material is used as a gate insulating layer to planarize the substrate. In the case of the etch stopper type thin film transistor, a photo definable material is used as the etch stopper layer to reduce the parasitic capacitance between the gate electrode and the drain electrode.

Een passiveringslaag wordt gevormd door een flowable isolerend materiaal op het substraat met een laag te bedekken waar een dunne filmtransistor en een elektrode van de opslagcondensator, en een pixelelektrode op de passiveringslaag worden gevormd. Een gedeelte van de passiveringslaag wordt geëtst gebruikend de pixelelektrode als masker om een groef op de dunne filmtransistor te maken, en dan wordt een zwarte matrijs gevormd door organische zwarte photoresist in de groef te vullen. Om de opslagcapacitieve weerstand te verhogen, wordt een gedeelte van de passiveringslaag verwijderd of een metaalpatroon op de elektrode van de opslagcondensator te vormen. Een flowable isolerend materiaal wordt gebruikt aangezien een poort het isoleren laag het substraat planarize. In het geval van ets kurktype dunne filmtransistor, wordt een foto definieerbaar materiaal gebruikt aangezien kurklaag ets om de parasitische capacitieve weerstand tussen de poortelektrode en de afvoerkanaalelektrode te verminderen.