The specification describes thin film transistor integrated circuits wherein the TFT devices are field effect transistors with inverted structures. The interconnect levels are produced prior to the formation of the transistors. This structure leads to added flexibility in processing. The inverted structure is a result of removing the constraints in traditional semiconductor field effect device manufacture that are imposed by the necessity of starting the device fabrication with the single crystal semiconductor active material. In the inverted structure the active material, preferably an organic semiconductor, is formed last in the fabrication sequence. In a preferred embodiment the inverted TFT devices are formed on a flexible printed circuit substrate.

Les spécifications décrivent des circuits intégrés de transistor de la couche mince où les dispositifs de TFT sont des transistors à effet de champ avec les structures inversées. Les niveaux d'interconnexion sont produits avant la formation des transistors. Cette structure mène à la flexibilité supplémentaire dans le traitement. La structure inversée est un résultat d'enlever les contraintes dans la fabrication traditionnelle de dispositif d'effet de gisement de semi-conducteur qui sont imposées par la nécessité de commencer la fabrication de dispositif avec le matériel actif de semi-conducteur de cristal simple. Dans la structure inversée le matériel actif, de préférence un semi-conducteur organique, est formé pour la dernière fois dans l'ordre de fabrication. Dans un mode de réalisation préféré les dispositifs inversés de TFT sont formés sur un substrat flexible de circuit imprimé.