A process for producing thin dielectric films is disclosed. In particular, the process is directed to forming oxide films having a thickness of less than about 60 angstroms. The oxide films can be doped with an element, such as nitrogen or boron. For example, in one embodiment, an oxynitride coating can be formed on a semiconductor wafer. According to the present invention, the very thin coatings are formed by reacting a gas with a semiconductor wafer while the temperature of the wafer is being increased in a rapid thermal processing chamber to a maximum temperature. According to the process, primarily all of the coating is formed during the "ramp up" portion of the heating cycle. Consequently, the wafer is maintained at the maximum target temperature for a very short period of time.

Un proceso para producir las películas dieléctricas finas se divulga. En detalle, el proceso se dirige a formar las películas del óxido que tienen un grueso de menos que cerca de 60 angstromes. Las películas del óxido se pueden dopar con un elemento, tal como nitrógeno o boro. Por ejemplo, en una encarnación, una capa del oxynitride se puede formar en una oblea de semiconductor. Según la actual invención, las capas muy finas son formadas reaccionando un gas con una oblea de semiconductor mientras que la temperatura de la oblea se está aumentando de un compartimiento de proceso termal rápido a una temperatura máxima. Según el proceso, sobre todo toda la capa se forma durante la porción de la "rampa para arriba" del ciclo de la calefacción. Por lo tanto, la oblea se mantiene en la temperatura máxima de la blanco por un período del tiempo muy corto.