An on-time signal generation circuit for use in a switching DC-to-DC converter, a switching DC-to-DC converter including such a circuit, and a method for generating an on-time signal which is a binary pulse train comprising pulses T.sub.ON, where the width of each pulse T.sub.ON is equal to T.sub.OSC (V.sub.out /V.sub.in), where T.sub.OSC, V.sub.in, and V.sub.out are, respectively, the switching period and the input potential of a DC-to-DC converter, and a control potential. The control potential V.sub.out is one of the output potential of the DC-to-DC converter and a DC potential proportional to a desired level of such output potential. The on-time signal generation circuit includes a comparator, a ramp generator with an output coupled to one input of the comparator, and an amplifier with an output coupled to the other input of the comparator. The ramp generator generates a periodic ramped potential having peak level kV.sub.in and period T.sub.osc. The amplifier receives the control potential V.sub.out, and is configured to assert an amplified potential kV.sub.out in response thereto. In response to potential kV.sub.out from the amplifier and ramped voltage kV.sub.in from the ramp generator, the comparator asserts a pulse train comprising pulses T.sub.ON. The width of each pulse T.sub.ON is equal to T.sub.OSC (V.sub.out /V.sub.in), and thus is indicative of the nominal or critical power switch on-time needed for the DC-to-DC converter to produce an output equal to V.sub.out in response to input V.sub.in . Preferably, the on-time signal generation circuit is implemented so that the width of each pulse T.sub.ON is equal to T.sub.OSC (V.sub.out /V.sub.in) independently of process variations and variations in operating temperature.

Un circuito della generazione del segnale di tempo d'inserimento per uso in un convertitore di CC-$$$-CC di commutazione, un convertitore di CC-$$$-CC di commutazione compreso un tal circuito e un metodo per la generazione del segnale di tempo d'inserimento che è un treno di impulso binario che contiene gli impulsi T.sub.ON, dove la larghezza di ogni impulso T.sub.ON è uguale a T.sub.OSC (V.sub.out /V.sub.in), dove T.sub.OSC, V.sub.in e V.sub.out sono, rispettivamente, il periodo di commutazione ed il potenziale dell'input di un convertitore CC-$$$-CC e un potenziale di controllo. Il potenziale V.sub.out di controllo è uno del potenziale dell'uscita del convertitore CC-$$$-CC e di un potenziale di CC proporzionale ad un livello voluto di tale potenziale dell'uscita. Il circuito della generazione del segnale di tempo d'inserimento include un comparatore, un generatore di dilagare con un'uscita accoppiata ad un input del comparatore e un amplificatore con un'uscita accoppiata all'altro input del comparatore. Il generatore di dilagare genera un potenziale dilagato periodico che ha il livello peak kV.sub.in e periodo T.sub.osc. L'amplificatore riceve il potenziale V.sub.out di controllo ed è configurato per asserire un potenziale amplificato kV.sub.out nella risposta a ciò. In risposta a potenziale kV.sub.out dall'amplificatore ed a tensione dilagata kV.sub.in dal generatore di dilagare, il comparatore asserice un treno di impulso che contiene gli impulsi T.sub.ON. La larghezza di ogni impulso T.sub.ON è uguale a T.sub.OSC (V.sub.out /V.sub.in) e così è indicativa del tempo d'inserimento dell'interruttore di potenza critica nominale o stato necessario affinchè il convertitore CC-$$$-CC produca un'uscita uguale a V.sub.out in risposta ad input V.sub.in. Preferibilmente, il circuito della generazione del segnale di tempo d'inserimento è effettuato in modo che la larghezza di ogni impulso T.sub.ON sia indipendentemente uguale a T.sub.OSC (V.sub.out /V.sub.in) dalle variazioni trattate e dalle variazioni nella temperatura di funzionamento.

 
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> Semiconductor device combining a MOSFET structure and a vertical-channel trench-substrate field effect device

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