A semiconductor device that provides for substrate current exiting a MOSFET structure, and hence the performance thereof, to be independently and controllably tuned. The semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, a conventional MOSFET structure disposed thereon, and at least one vertical-channel trench-substrate field effect device disposed in the semiconductor substrate. The vertical-channel trench-substrate field effect device includes a vertical-channel region beneath the MOSFET structure. During operation, substrate current exiting the MOSFET structure can be independently and controllably tuned by applying a potential bias to the vertical-channel trench-substrate field effect device that "pinches-off" the vertical-channel region. The vertical-channel trench-substrate field effect device includes an expanded trench that extends from an upper surface of the semiconductor substrate to beneath the MOSFET structure and a dielectric shallow trench spacer (e.g., silicon dioxide or silicon nitride dielectric shallow trench spacer) that is disposed along an upper portion of the sidewall of the expanded trench. The vertical-channel trench-substrate field effect device also includes a SiO.sub.2 trench liner layer disposed on those portions of the sidewall of the expanded trench that are not covered by the dielectric shallow trench spacer, and an electrically conductive trench fill layer (e.g., in-situ doped polysilicon) in the expanded trench. The vertical-channel region can be "pinched-off," and the substrate current exiting the MOSFET structure independently and controllably tuned, by applying a potential bias to the electrically conductive trench fill layer. Also, a process for manufacturing the semiconductor device that is compatible with conventional IC manufacturing techniques.

Um dispositivo de semicondutor que fornecesse para a corrente da carcaça que retira uma estrutura do MOSFET, e daqui o desempenho disso, para ser independentemente e ajustaram controllably. O dispositivo de semicondutor inclui uma carcaça do semicondutor de um primeiro tipo do conductivity, de uma estrutura convencional do MOSFET disposta thereon, e ao menos de um dispositivo do efeito do campo da trincheira-carcaça da vertical-canaleta disposto na carcaça do semicondutor. O dispositivo do efeito do campo da trincheira-carcaça da vertical-canaleta inclui uma região da vertical-canaleta abaixo da estrutura do MOSFET. Durante a operação, a corrente da carcaça que retira a estrutura do MOSFET pode para ajustar independentemente e controllably aplicando um diagonal potencial ao dispositivo do efeito do campo da trincheira-carcaça da vertical-canaleta que "comprime-fora" a região da vertical-canaleta. O dispositivo do efeito do campo da trincheira-carcaça da vertical-canaleta inclui uma trincheira expandida que estenda de uma superfície superior da carcaça do semicondutor abaixo da estrutura do MOSFET e a um espaçador raso dieléctrico da trincheira (espaçador raso dieléctrico da trincheira do nitride por exemplo, do silicone do dióxido ou de silicone) que seja disposto ao longo de uma parcela superior do sidewall da trincheira expandida. O dispositivo do efeito do campo da trincheira-carcaça da vertical-canaleta inclui também uma camada do forro da trincheira SiO.sub.2 disposta naquelas parcelas do sidewall da trincheira expandida que não são cobertas pelo espaçador raso dieléctrico da trincheira, e uma camada eletricamente condutora da suficiência da trincheira (por exemplo, polysilicon doped in-situ) na trincheira expandida. A região da vertical-canaleta pode "ser comprimida-fora," e a corrente da carcaça que retira a estrutura do MOSFET independentemente e ajustado controllably, aplicando um diagonal potencial à camada eletricamente condutora da suficiência da trincheira. Também, um processo para manufaturar o dispositivo de semicondutor que é compatível com técnicas de manufacturing convencionais do IC.