A typical integrated circuit interconnects millions of microscopic transistors and resistors with aluminum wires buried in silicon-dioxide insulation. Yet, aluminum wires and silicon-dioxide insulation are less attractive than copper wires and polymer-based insulation, which promise both lower electrical resistance and capacitance and thus faster, more efficient circuits. Unfortunately, current techniques cannot realize the promise because copper reacts with the polymer-based insulation to form copper dioxide within the polymer, reducing effectiveness of the copper-polymer combination. Accordingly, the inventor devised a method which uses a non-acid-precursor to form a polymeric layer and then cures, or bakes, it in a non-oxidizing atmosphere, thereby making the layer resistant to copper-dioxidizing reactions. Afterward, the method applies a copper-adhesion material, such as zirconium, to the layer to promote adhesion with a subsequent copper layer. With reduced copper-dioxide, the resulting interconnective structure facilitates integrated circuits with better speed and efficiency.

Um circuito integrado típico interconecta milhões de transistor e dos resistores microscópicos com os fios de alumínio enterrados na isolação do silicone-dióxido. Ainda, os fios e a isolação de alumínio do silicone-dióxido são mais menos atrativos do que os fios de cobre e a isolação polímero-baseada, que prometem uma resistência elétrica mais baixa e uma capacidade e assim uns circuitos mais rápidos, mais eficientes. Infelizmente, as técnicas atuais não podem realizar a promessa porque o cobre reage com a isolação polímero-baseada ao dióxido do cobre do formulário dentro do polímero, reduzindo a eficácia da combinação do cobre-polímero. Conformemente, o inventor planejou um método que usasse um non-ácido-non-acid-precursor dar forma a uma camada polymeric e então a curas, ou coze-o, ele em uma atmosfera deoxidação, fazendo desse modo a camada resistente às reações do cobre-dioxidizing. Mais tarde, o método aplica um material da cobre-adesão, tal como o zirconium, à camada para promover a adesão com uma camada de cobre subseqüente. Com cobre-dióxido reduzido, a estrutura interconnective resultante facilita circuitos integrados com velocidade e eficiência melhores.