A multi-layer ferroelectric thin film includes a nucleation layer, a bulk layer, and an optional cap layer. A thin nucleation layer of a specific composition is implemented on a bottom electrode to optimize ferroelectric crystal orientation and is markedly different from the composition required in the bulk of a ferroelectric film. The bulk film utilizes the established nucleation layer as a foundation for its crystalline growth. A multi-step deposition process is implemented to achieve a desired composition profile. This method also allows for an optional third composition adjustment near the upper surface of the film to ensure compatibility with an upper electrode interface and to compensate for interactions resulting from subsequent processing.

Разнослоистая ferroelectric тонкая пленка вклюает слой нуклеации, навальный слой, и опционный слой крышки. Тонкий слой нуклеации специфически состава снабжен на нижнем электроде для того чтобы оптимизировать ferroelectric crystal ориентацию и отличает маркированно состав необходим в большом части ferroelectric пленки. Навальная пленка использует установленный слой нуклеации как учредительство для своего кристаллического роста. Multi-step процесс низложения снабжен для того чтобы достигнуть заданного профиля состава. Этот метод также позволяет для опционной третьей регулировки состава почти верхняя поверхность пленки для того чтобы обеспечить совместимость с верхней поверхностью стыка электрода и compensate for взаимодействия приводящ к от затем обрабатывать.