A method of forming a light-transmissive contact on a p-type Gallium nitride (GaN) layer of an optoelectronic device includes in one embodiment, introducing a selected metal in an oxidized condition, rather than oxidizing the metal only after it has been deposited on the surface of the p-type GaN layer. In some applications, the oxidized metal provides sufficient lateral conductivity to eliminate the conventional requirement of a second highly conductive contact metal, such as gold. If the second contact metal is desired, an anneal in an oxygen-free environment is performed after deposition of the second layer. The anneal causes the second metal to penetrate the oxidized metal and to fuse to the surface of the p-type GaN layer. In a second embodiment, the oxidation occurs only after at least one of the two metals is deposited on the surface of the p-type GaN layer. In one application of the second embodiment, the two metals are deposited and the oxidation occurs in an environment that includes both water vapor and oxygen gas. In an alternative application of the second embodiment, the first metallic layer is deposited and then oxidized throughout its depth. The second material, such as gold, is evaporated on the first material and a re-anneal step is performed to drive the second metal through the oxidized first metal. In any of the applications of either embodiment, a pattern of windows may be formed in the resulting contact structure or in additional layers that are formed thereon.

Un método de formar un contacto de la luz-transmissive en un p-tipo capa del nitruro del galio (GaN) de un dispositivo optoelectrónico incluye en una encarnación, introduciendo un metal seleccionado en una condición oxidada, más bien que oxidando el metal solamente después que se ha depositado en la superficie del p-tipo capa de GaN. En algunos usos, el metal oxidado proporciona suficiente conductividad lateral para eliminar el requisito convencional de un metal altamente conductor del contacto del segundo, tal como oro. Si se desea el segundo metal del contacto, un recocer en un ambiente libre de oxígeno se realiza después de la deposición de la segunda capa. El recocer hace el segundo metal penetrar el metal oxidado y fundirse a la superficie del p-tipo capa de GaN. En una segunda encarnación, la oxidación ocurre solamente después que por lo menos uno de los dos metales se deposita en la superficie del p-tipo capa de GaN. En un uso de la segunda encarnación, se depositan los dos metales y la oxidación ocurre en un ambiente que incluya el vapor de agua y el gas del oxígeno. En un uso alternativo de la segunda encarnación, la primera capa metálica se deposita y después se oxida a través de su profundidad. El segundo material, tal como oro, se evapora en el primer material y un paso del re-recocer se realiza para conducir el segundo metal a través del primer metal oxidado. En cualesquiera de los usos de la encarnación, un patrón de ventanas se puede formar en la estructura del contacto que resulta o en las capas adicionales que se forman sobre eso.