A multipixel electron emission source is generated by separating a point electron source from a plasma region. The point electron source produces an electron beam that is passed through the plasma region. The plasma region diffuses the electron beam thereby producing electrons with uniform energy. Moreover, the maximum current of the device is advantageously controlled by the maximum electron current produced by the point electron source and not the characteristics of the plasma and wall interactions as found in conventional devices. The electrons are then pulled out of the plasma region by an aperture grid that is also used as a blanking array. A focusing chamber is positioned down stream of the plasma region and aperture grid. The aperture grid includes a base electrode and a blanker electrode, which is isolated from the base electrode. The base electrode is held at a potential. In the off state, the blanker electrode is floating permitting the blanker electrode to become negatively charged from the electron stream. Once negatively charged, the blanker electrode pinches off the electron stream. In the on state, the blanker electrode is switchably coupled to the base electrode which drains the negative charge and permits the electron stream to pass. The aperture grid may be an integrated blanking and switching device.

Una fonte dell'emissione dell'elettrone del multipixel è generata separando una fonte dell'elettrone del punto da una regione del plasma. La fonte dell'elettrone del punto produce un fascio elettronico che è passato con la regione del plasma. La regione del plasma diffonde il fascio elettronico quindi che produce gli elettroni con energia dell'uniforme. Inoltre, la corrente di massimo del dispositivo è controllata vantaggiosamente dalla corrente massima dell'elettrone prodotta dalla fonte dell'elettrone del punto e non dalle caratteristiche delle interazioni della parete e del plasma come trovato in dispositivi convenzionali. Gli elettroni allora sono estratti della regione del plasma da una griglia dell'apertura che inoltre è usata mentre un allineamento di soppressione. Un alloggiamento di focalizzazione è posizionato giù il flusso della regione del plasma e della griglia dell'apertura. La griglia dell'apertura include un elettrodo basso e un elettrodo del blanker, che è isolato dall'elettrodo basso. L'elettrodo basso è tenuto ad un potenziale. Fuori nel dichiarare, l'elettrodo del blanker sta galleggiando consentendo l'elettrodo del blanker di essere caricato negativamente dal flusso dell'elettrone. Una volta che caricato negativamente, l'elettrodo del blanker si intrappola fuori del flusso dell'elettrone. Sopra nel dichiarare, l'elettrodo del blanker switchably è accoppiato all'elettrodo basso che vuota la carica negativa e consente il flusso dell'elettrone di passare. La griglia dell'apertura può essere un dispositivo di soppressione e di commutazione integrato.