A method for making a semiconductor device which has the steps of: (A)
forming insulating film on a semiconductor substrate and then a plurality
of lower wirings on the insulating film; (B) forming first insulating film
with an overhang form to cover the surface of the lower wirings and the
insulating film by using a plasma enhanced chemical vapor deposition
method; (C) forming organic-included coating insulating film on the first
insulating film by using a rotational coating method, (D) baking the
organic-included coating insulating film; (E) etching back a part of the
organic-included coating insulating film by using a dry-etching method;
(F) forming second insulating film on the first insulating film and the
organic-included coating insulating film by using the plasma enhanced
chemical vapor deposition method; (G) polishing the second insulating film
by using a chemical mechanical polishing method to planarize the surface,
(H) etching a predetermined part of the first insulating film and the
second insulating film to form a hole to reach the lower wirings; and (I)
burying a metal material into the hole.
Une méthode pour faire un dispositif de semi-conducteur a dont les étapes : (a) formant le film isolant sur un substrat de semi-conducteur et puis une pluralité de câblages inférieurs sur le film isolant ; (b) formant le film d'abord isolant avec une forme de surplomb pour couvrir la surface des câblages inférieurs et du film isolant en employant un plasma a augmenté la méthode de déposition en phase vapeur ; (c) formant le film isolant enduisant organique-inclus sur le premier film isolant en employant une méthode enduisante de rotation, (d) faisant le film isolant enduisant organique-inclus ; (e) dos gravure à l'eau-forte par partie du film isolant enduisant organique-inclus en employant une méthode de sec-gravure à l'eau-forte ; (f) formant le film en second lieu isolant sur le premier film isolant et le film isolant enduisant organique-inclus en employant le plasma a augmenté la méthode de déposition en phase vapeur ; (G) polissant le deuxième film isolant en employant une méthode de polissage mécanique chimique planarize la surface, (h) gravant à l'eau-forte une partie prédéterminée du premier film isolant et du deuxième film isolant pour former un trou pour atteindre les câblages inférieurs ; et (i) enterrant un matériel en métal dans le trou.
