Semiconductor chips are housed in respective cavities formed in a plate-like base substrate, and plate-like cap members are bonded onto the base substrate. The base substrate is diced to thereby form a plurality of semiconductor packages. Penetrating holes are formed in the base substrate between the cavities. The base substrate and the cap members are formed from alumina material of low purity or organic material. The hollow package structure prevents a deterioration in a high-frequency characteristic, and attains high productivity.

Halbleiterspäne werden in den jeweiligen Räumn untergebracht, die in a Platte-wie niedrigem Substrat gebildet werden, und Platte-wie Kappe werden Mitglieder auf das niedrige Substrat abgebunden. Das niedrige Substrat wird gewürfelt, um eine Mehrzahl der Halbleiterpakete dadurch zu bilden. Durchdringungsbohrungen werden im niedrigen Substrat zwischen den Räumn gebildet. Das niedrige Substrat und die Kappe Mitglieder werden vom Tonerdematerial der niedrigen Reinheit oder des organischen Materials gebildet. Die hohle Paketstruktur verhindert eine Verschlechterung in einer Hochfrequenzeigenschaft und erreicht hohe Produktivität.