In a method of manufacturing a photoelectric conversion device, a step of forming a microcrystalline semiconductor film and a step of implanting an impurity element into the microcrystalline semiconductor film are separated from each other so that the productivity of the photoelectric conversion device by a roll-to-roll system manufacturing apparatus is increased. In the method, first, a first electrode is formed on an organic resin substrate. Then a first microcrystalline semiconductor film, a substantially intrinsic amorphous semiconductor film, and a second microcrystalline semiconductor film are continuously formed by a roll-to-roll system plasma CVD method. The first and second microcrystalline semiconductor films are formed without adding n-type or p-type conductivity determining impurity elements. After the formation of the films, a p-type conductivity determining impurity element is implanted into the second microcrystalline semiconductor film. By carrying out a heat treatment, the p-type conductivity determining impurity element is activated so that a p-type microcrystalline semiconductor film is obtained, and at the same time, an n-type microcrystalline semiconductor film having lowered resistance can be obtained.

Σε μια μέθοδο μια φωτοηλεκτρική συσκευή μετατροπής, ένα βήμα της διαμόρφωσης μιας μικροκρυσταλλικής ταινίας ημιαγωγών και ένα βήμα της εμφύτευσης ενός στοιχείου ακαθαρσιών στη μικροκρυσταλλική ταινία ημιαγωγών είναι χωρισμένα το ένα από το άλλο έτσι ώστε η παραγωγικότητα της φωτοηλεκτρικής συσκευής μετατροπής από μια συσκευή κατασκευής συστημάτων ρόλος-$$$-ΡΌΛΩΝ αυξάνεται. Στη μέθοδο, πρώτα, ένα πρώτο ηλεκτρόδιο διαμορφώνεται σε ένα οργανικό υπόστρωμα ρητίνης. Κατόπιν μια πρώτη μικροκρυσταλλική ταινία ημιαγωγών, μια ουσιαστικά εγγενής άμορφη ταινία ημιαγωγών, και μια δεύτερη μικροκρυσταλλική ταινία ημιαγωγών διαμορφώνονται συνεχώς με μια cvd πλάσματος συστημάτων ρόλος-$$$-ΡΌΛΩΝ μέθοδο. Οι πρώτες και δεύτερες μικροκρυσταλλικές ταινίες ημιαγωγών διαμορφώνονται χωρίς προσθήκη των καθοριστικών στοιχείων ακαθαρσιών αγωγιμότητας ν-τύπων ή π-τύπων. Μετά από το σχηματισμό των ταινιών, ένα καθοριστικό στοιχείο ακαθαρσιών αγωγιμότητας π-τύπων εμφυτεύεται στη δεύτερη μικροκρυσταλλική ταινία ημιαγωγών. Με την πραγματοποίηση μιας θερμικής επεξεργασίας, το καθοριστικό στοιχείο ακαθαρσιών αγωγιμότητας π-τύπων ενεργοποιείται έτσι ώστε μια μικροκρυσταλλική ταινία ημιαγωγών π-τύπων λαμβάνεται, και συγχρόνως, μια μικροκρυσταλλική ταινία ημιαγωγών ν-τύπων που έχει χαμηλώσει την αντίσταση μπορεί να ληφθεί.