A multilayercd substrate. The substrate has a plurality of particles defined in a pattern in the substrate at a selected depth underneath the surface of the substrate. The particles are at a concentration at the selected depth to define a substrate material to be removed above the selected depth. The substrate material is removed after forming active devices on the substrate material using, for example, conventional semiconductor processing techniques. The pattern is defined in a manner to substantially prevent a possibility of detachment of the substrate material to be removed during conventional thermal processes of greater than about room temperature or greater than about 200 degrees Celsius.

Uma carcaça do multilayercd. A carcaça tem um plurality das partículas definidas em um teste padrão na carcaça em uma profundidade selecionada debaixo da superfície da carcaça. As partículas estão em uma concentração na profundidade selecionada para definir um material da carcaça a ser removido acima da profundidade selecionada. O material da carcaça é removido após ter dado forma a dispositivos ativos na carcaça material usando, para o exemplo, técnicas processando do semicondutor convencional. O teste padrão é definido em uma maneira para impedir substancialmente uma possibilidade de destacamento do material da carcaça a ser removido durante processos térmicos convencionais de mais grande do que sobre a temperatura de quarto ou os mais extremamente do que aproximadamente 200 graus Célsio.