Integrated circuit ferroelectric memory devices include a pair of spaced apart word lines which cross an elongated active region, a drain region in the active region between the pair of word lines, and a pair of source regions in the active region outside the pair of spaced apart word lines on opposite sides of the drain region. A pair of ferroelectric capacitors outside the elongated active region is also included, a respective one of which is adjacent a respective one of the pair of source regions. Each of the ferroelectric capacitors includes spaced apart first and second electrodes and a ferroelectric layer between them. A respective one of the first electrodes is electrically connected to a respective one of the pair of source regions. A pair of plate lines is electrically connected to a respective one of the second electrodes and a bit line is electrically connected to the drain region. Integrated circuit ferroelectric memory devices according to the invention may be formed by fabricating a field effect transistor in an integrated circuit substrate and forming a first electrode, a ferroelectric layer, a diffusion barrier layer and a second electrode on the substrate. A first patterned metal layer electrically connects the first electrode to the source region of the field effect transistor and also electrically contacts the drain region. A second patterned metal layer electrically contacts the second electrode.

Schließen ferroelectric größtintegrierte Speicherbauelemente der integrierten Schaltung ein Paar Raumgetrenntwortlinien ein, die eine längliche aktive Region, eine Abflußregion in der aktiven Region zwischen dem Paar der Wortlinien und einem Paar Quellregionen in der aktiven Region außerhalb des Paares der Raumgetrenntwortlinien auf gegenüberliegenden Seiten der Abflußregion kreuzen. Ein Paar ferroelectric Kondensatoren außerhalb der länglichen aktiven Region ist auch eingeschlossen, von der ein jeweiliges ein jeweiliges des Paares von Quellregionen angrenzend ist. Jeder der ferroelectric Kondensatoren schließt auseinander zuerst gesperrt und zweite Elektroden und eine ferroelectric Schicht zwischen ihnen ein. Ein jeweiliges der ersten Elektroden wird elektrisch bis ein jeweiliges des Paares von Quellregionen angeschlossen. Ein Paar Platte Linien wird elektrisch bis ein jeweiliges der zweiten Elektroden angeschlossen und eine Spitze Linie wird elektrisch an die Abflußregion angeschlossen. Können ferroelectric größtintegrierte Speicherbauelemente der integrierten Schaltung entsprechend der Erfindung gebildet werden, indem man einen auffangeneffekttransistor in einem Schaltungsubstrat fabriziert und eine erste Elektrode, eine ferroelectric Schicht, eine Diffusion (Zerstäubung) Grenzschicht und eine zweite Elektrode auf dem Substrat bildet. Eine erste patterned Metallschicht schließt elektrisch die erste Elektrode an die Quellregion des auffangeneffekttransistors an und auch tritt elektrisch mit der Abflußregion in Verbindung. Eine zweite patterned Metallschicht tritt elektrisch mit der zweiten Elektrode in Verbindung.