A process and apparatus for drying semiconductor wafers includes the
controlled-rate extraction of a wafer immersed in rinsing liquid,
irradiation of the wafer using high intensity lights or filaments along
the wafer-liquid interface, and delivery of gas streams against the wafer
along the wafer-liquid interface using a gas delivery system. Heating is
controlled to create a temperature gradient without evaporating rinsing
fluid adhering to surfaces of the wafer. Heating by the radiation sources
creates a temperature gradient in the wafer in the irradiated region that
simultaneously generates a surface tension gradient in the water adhering
to the wafer. The gas delivery system removes the bulk of the water
adhering to the wafer surface, and also suppresses the height of the
rinsing liquid adhering to the wafer, providing faster extraction of dry
and highly clean wafers from the rinsing liquid. A solvent vapor is
optionally injected at the wafer-liquid interface, to reduce adhesion of
the liquid to the vapor.
Un proceso y un aparato para las obleas de semiconductor de sequía incluye la extracción de la controlado-tarifa de una oblea sumergida en aclarar el líquido, la irradiación de la oblea usando luces de la alta intensidad o los filamentos a lo largo del oblea-li'quido interconecta, y entrega de las corrientes del gas contra la oblea a lo largo del interfaz del oblea-li'quido usando un sistema de la entrega del gas. La calefacción se controla para crear un gradiente de la temperatura sin el líquido que aclara que se evapora que adhiere a las superficies de la oblea. La calefacción por las fuentes de la radiación crea un gradiente de la temperatura en la oblea en la región irradiada que genera simultáneamente un gradiente de la tensión de superficie en el agua que adhiere a la oblea. El sistema de la entrega del gas quita el bulto del agua que adhiere a la superficie de la oblea, y también suprime la altura del líquido que aclara que adhiere a la oblea, proporcionando una extracción más rápida de obleas secas y altamente limpias del líquido que aclara. Un vapor solvente se inyecta opcionalmente en el interfaz del oblea-li'quido, para reducir la adherencia del líquido al vapor.
