The specification describes a photolithography process using multiple
exposures to form z-dimension patterns. Multiple exposures at different
thickness levels are made using photomasks aligned with a latent image of
alignment marks formed during the first exposure. The latent image is
visible to the alignment system of commercial steppers.
La specifica descrive le esposizioni multiple usando trattate di photolithography ai modelli di z-dimensione della forma. Le esposizioni multiple ai livelli differenti di spessore sono fatte usando i photomasks stati allineati rispetto ad un'immagine latente dei contrassegni di allineamento formati durante la prima esposizione. L'immagine latente รจ visibile al sistema di allineamento degli steppers commerciali.
