A cleaning solution, method, and apparatus for cleaning semiconductor substrates after chemical mechanical polishing of copper films is described. The present invention includes a cleaning solution which combines deionized water, an organic compound, and an ammonium compound in an acidic pH environment for cleaning the surface of a semiconductor substrate after polishing a copper layer. Such methods of cleaning semiconductor substrates after copper CMP alleviate the problems associated with brush loading and surface and subsurface contamination.

Una solución, un método, y un aparato de la limpieza para los substratos del semiconductor de la limpieza después de pulir mecánico químico de las películas de cobre se describe. La actual invención incluye una solución de la limpieza que combine el agua desionizada, un compuesto orgánico, y un compuesto del amonio en un ambiente ácido del pH para limpiar la superficie de un substrato del semiconductor después de pulir una capa de cobre. Tales métodos de limpiar los substratos del semiconductor después del CMP del cobre alivian los problemas asociados al cargamento del cepillo y a la contaminación superficial y subsuperficie.