The specification describes methods for making T-shaped metal gates for Schottky gate devices such as MESFETs and HEMTs. The method uses a bi-level photoresist technique to create a T-shaped feature for the gate structure. The metal gate is evaporated into the photoresist T-shaped feature and a lift-off process is used to remove unwanted metal. The photoresist is the dissolved away leaving the T-shaped gate. An important aspect of the process is the use of a plasma treatment of the first patterned resist level to harden it so that it is unaffected by the subsequent deposition and patterning of the second level resist.

Η προδιαγραφή περιγράφει τις μεθόδους για τις τ-διαμορφωμένες πύλες μετάλλων για τις συσκευές πυλών Schottky όπως MESFETs και HEMTs. Η μέθοδος χρησιμοποιεί μια σε δύο επίπεδα photoresist τεχνική για να δημιουργηθεί ένα τ-διαμορφωμένο χαρακτηριστικό γνώρισμα για τη δομή πυλών. Η πύλη μετάλλων εξατμίζεται στο τ-διαμορφωμένο photoresist χαρακτηριστικό γνώρισμα και μια διαδικασία εκτόξευσης χρησιμοποιείται για να αφαιρέσει το ανεπιθύμητο μέταλλο. Photoresist είναι διαλυμένη αφήνοντας μακριά την τ-διαμορφωμένη πύλη. Μια σημαντική πτυχή της διαδικασίας είναι η χρήση μιας επεξεργασίας πλάσματος του πρώτου που διαμορφώνεται αντιστέκεται στο επίπεδο για να το σκληραίνει έτσι ώστε είναι απρόσβλητο από την επόμενη απόθεση και η διαμόρφωση του δεύτερου επιπέδου αντιστέκεται.