A doped, metal oxide dielectric material and electronic components made with this material are disclosed. The metal oxide is a Group III or Group VB metal oxide (e.g. Al.sub.2 O.sub.3, Y.sub.2 O.sub.3, Ta.sub.2 O.sub.5 or V.sub.2 O.sub.5) and the metal dopant is a Group IV material (Zr, Si, Ti, and Hf). The metal oxide contains about 0.1 weight percent to about 30 weight percent of the dopant. The doped, metal oxide dielectric of the present invention is used in a number of different electronic components and devices. For example, the doped, metal oxide dielectric is used as the gate dielectric for MOS devices. The doped, metal oxide dielectric is also used as the inter-poly dielectric material for flash memory devices.

Ein dielektrisches Material des lackierten, Metalloxids und elektronische Bauelemente, die mit diesem Material gebildet werden, werden freigegeben. Das Metalloxid ist- eine Gruppe III, oder Gruppe VB Metalloxid (z.B. Al.sub.2 O.sub.3, Y.sub.2 O.sub.3, Ta.sub.2 O.sub.5 oder V.sub.2 O.sub.5) und der Metalldopant ist- ein Gruppe IV Material (Zr, Silikon, Ti und HF). Das Metalloxid enthält die Prozente ungefähr mit 0.1 Gewichten zu den Prozenten ungefähr mit 30 Gewichten des Dopants. Lackiert, Metalloxidnichtleiter der anwesenden Erfindung wird in einer Anzahl von unterschiedlichen elektronischen Bauelementen und Vorrichtungen verwendet. Z.B. wird lackiert, Metalloxidnichtleiter als der Gatternichtleiter für MOS Vorrichtungen verwendet. Lackiert, Metalloxidnichtleiter wird auch als das Zwischen-polydielektrische Material für grelle größtintegrierte Speicherbauelemente verwendet.