A method for removing contaminants from a semiconductor wafer having a spin on coating of material. Contaminants are removed by applying a cleaning solution to the periphery, and preferably, the exposed backside of the wafer after the edge bead has been dissolved and removed. The cleaning solution is formulated to react chemically with unwanted coating material residue to form a compound that may be ejected from the periphery of the spinning wafer. Any residual solution or precipitate that is not ejected from the wafer may be rinsed away with water, preferably deoinized water. One exemplary use of this method is the removal of metallic contaminants that may be left on the periphery and backside of a wafer after the formation of ferroelectric film coatings. A cleaning solution comprising a mixture of hydrochloric acid HCl and water H.sub.2 O or ammonium hydroxide NH.sub.4 OH and water H.sub.2 O is applied to the periphery of the spinning wafer. The cleaning solution will react with any residual metal ions to form a metal chloride or metal hydroxide that is ejected from the wafer along with the cleaning solution.

Μια μέθοδος για τους μολυσματικούς παράγοντες από μια γκοφρέτα ημιαγωγών που έχει μια περιστροφή στο επίστρωμα του υλικού. Οι μολυσματικοί παράγοντες αφαιρούνται με την εφαρμογή μιας λύσης καθαρισμού στην περιφέρεια, και κατά προτίμηση, η εκτεθειμένη πίσω πλευρά της γκοφρέτας αφότου έχει διαλυθεί η χάντρα ακρών και έχει αφαιρεθεί. Η λύση καθαρισμού διατυπώνεται για να αντιδράσει χημικά με το ανεπιθύμητο υλικό υπόλειμμα επιστρώματος για να σχηματίσει μια ένωση που μπορεί να εκτιναχθεί από την περιφέρεια της περιστρεφόμενης γκοφρέτας. Οποιοδήποτε υπόλοιπο λύση ή ίζημα που δεν εκτινάσσονται από την γκοφρέτα μπορεί να ξεπλυθεί μακριά με το ύδωρ, κατά προτίμηση το ύδωρ. Μια υποδειγματική χρήση αυτής της μεθόδου είναι η αφαίρεση των μεταλλικών μολυσματικών παραγόντων που μπορούν να αφεθούν στην περιφέρεια και την πίσω πλευρά μιας γκοφρέτας μετά από το σχηματισμό των σιδηροηλεκτρικών επιστρωμάτων ταινιών. Μια λύση καθαρισμού που περιλαμβάνει ένα μίγμα υδροχλωρικού οξέος HCl και ύδατος H.sub.2 ο ή υδροξειδίου αμμωνίου NH.sub.4 OH και ύδατος H.sub.2 ο εφαρμόζεται στην περιφέρεια της περιστρεφόμενης γκοφρέτας. Η λύση καθαρισμού θα αντιδράσει με οποιαδήποτε υπόλοιπα ιόντα μετάλλων για να διαμορφώσει ένα χλωρίδιο μετάλλων ή ένα υδροξείδιο μετάλλων που εκτινάσσονται από την γκοφρέτα μαζί με τη λύση καθαρισμού.