A high-k dielectric films is provided, which is doped with divalent or trivalent metals to vary the electron affinity, and consequently the electron and hole barrier height. The high-k dielectric film is a metal oxide of either zirconium (Zr) or hafnium (Hf), doped with a divalent metal, such as calcium (Ca) or strontium (Sr), or a trivalent metal, such as aluminum (Al), scandium (Sc), lanthanum (La), or yttrium (Y). By selecting either a divalent or trivalent doping metal, the electron affinity of the dielectric material can be controlled, while also providing a higher dielectric constant material then silicon dioxide. Preferably, the dielectric material will also be amorphous to reduce leakage caused by grain boundaries. Also provided are sputtering, CVD, Atomic Layer CVD, and evaporation deposition methods for the above-mentioned, doped high dielectric films.

Wird hohe-k dielektrische Filme, die mit den zweiwertigen oder dreiwertigen Metallen lackiert wird, um die Elektronaffinität zu verändern, und infolgedessen die Elektron- und Bohrungssperre Höhe zur Verfügung gestellt. Der hohe-k dielektrische Film ist ein Metalloxid entweder des Zirkoniums (Zr) oder des Hafnium (HF), lackiert mit einem zweiwertigen Metall, wie Kalzium (CA) oder Strontium (Sr) oder ein dreiwertiges Metall, wie Aluminium (Al), scandium (Sc), Lanthan (La) oder Yttrium (Y). Indem sie entweder ein zweiwertiges oder dreiwertiges lackierendes Metall vorwählt, kann die Elektronaffinität des dielektrischen Materials kontrolliert sein, beim ein höheres Silikondioxid des Dielektrizitätskonstantematerials auch zur Verfügung stellen dann. Vorzugsweise ist das dielektrische Material auch formlos, das Durchsickern zu verringern, das durch Kristallgrenzen verursacht wird. Auch zur Verfügung gestellt spritzen, CVD, Atomschicht CVD und Verdampfungabsetzungmethoden für die obenerwähnten, lackierten hohen dielektrischen Filme.