Cell block structure of a nonvolatile ferroelectric memory is provided that can reduce loading on a bitline and simplify sense amplifier block arrangement and design. The nonvolatile ferroelectric memory can include a cell array block having split wordlines controlled by a wordline driver and a cell block selection switching unit that separates the cell array block into a first region and a second region. Each switch in the cell block selection switching unit is selectively coupled to a bitline for the first region and a bitline for the second region. First and second sense amplifier arrays sense a data from a cell array either in the first region or the second region selected by the cell block selection switching unit.

Η δομή φραγμών κυττάρων μιας αμετάβλητης σιδηροηλεκτρικής μνήμης παρέχεται που μπορεί να μειώσει τη φόρτωση σε ένα bitline και να απλοποιήσει τη ρύθμιση και το σχέδιο φραγμών ενισχυτών αίσθησης. Η αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική μνήμη μπορεί να περιλάβει έναν φραγμό σειράς κυττάρων που έχει χωρίσει τα wordlines που ελέγχονται από έναν οδηγό wordline και μια μονάδα μετατροπής επιλογής φραγμών κυττάρων που χωρίζει το φραγμό σειράς κυττάρων σε μια πρώτη περιοχή και μια δεύτερη περιοχή. Κάθε μετάβαση στη μονάδα μετατροπής επιλογής φραγμών κυττάρων συνδέεται επιλεκτικά με ένα bitline για την πρώτη περιοχή και ένα bitline για τη δεύτερη περιοχή. Πρώτα και δεύτερη αίσθηση σειρών ενισχυτών αίσθησης ένα στοιχείο από μια σειρά κυττάρων είτε στην πρώτη περιοχή είτε τη δεύτερη περιοχή που επιλέγεται από τη μονάδα μετατροπής επιλογής φραγμών κυττάρων.