A process for the production of a cold cathode field emission device comprising the steps of; (A) forming a patterned electrode layer on a dielectric supporting substrate, (B) forming an insulating interlayer on the dielectric supporting substrate and the electrode layer, (C) forming a gate electrode constituted of a first conductive layer on the insulating interlayer, (D) forming an opening portion which penetrates through at least the insulating interlayer and has a bottom portion where the electrode layer is exposed, (E) forming a side-wall of an insulating material on the side wall of the opening portion, to decrease the opening portion in diameter, (F) forming a second conductive layer on the entire surface including the inside of the opening portion by a physical or chemical vapor deposition method, (G) etching back the second conductive layer to form an emitter electrode shaped in the form of a column and constituted of the second conductive layer in the opening portion, and (H) removing at least an upper portion of the side-wall.

Un procedimento per la produzione di un dispositivo freddo dell'emissione del giacimento del catodo che contiene i punti; (A) formando uno strato modellato dell'elettrodo su un substrato di sostegno dielettrico, (B) formando uno strato intermedio isolante sul substrato di sostegno dielettrico e lo strato dell'elettrodo, (C) formando un elettrodo di cancello costituito di un primo strato conduttivo sullo strato intermedio isolante, (D) formando una parte di apertura che penetra attraverso almeno lo strato intermedio isolante ed ha una parte inferiore in cui lo strato dell'elettrodo รจ esposto, (E) formando un muro laterale di un materiale isolante sulla parete laterale della parte di apertura, alla diminuzione la parte di apertura di diametro, (F) formando un secondo strato conduttivo sull'intera superficie compreso la parte interna della parte di apertura con un metodo di deposito di vapore fisico o chimico, (G) incidendo indietro il secondo strato all'acquaforte conduttivo per formare un elettrodo dell'emettitore a forma di sotto forma d'una colonna e costituito del secondo strato conduttivo nella parte di apertura e (H) nella rimozione almeno della parte superiore del muro laterale.

 
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