A GaInAsP/AR GaInP laser diode is provided with an AlGaAs type II carrier blocking layer in the waveguide of the diode. The resulting diode exhibits a relatively low threshold current, an increased slope efficiency and characteristic T0 and T1, for the diodes are less limited by carrier leakage.

Un diodo del laser de GaInAsP/AR GaInP se proporciona un tipo portador de AlGaAs de II que bloquea capa en la guía de onda del diodo. El diodo que resulta exhibe una corriente relativamente baja del umbral, una eficacia creciente de la cuesta y un T0 característico y T1, porque los diodos son limitados menos por salida del portador.