A low temperature CVD process using a tris (.beta.-diketonate) bismuth precursor for deposition of bismuth ceramic thin films suitable for integration to fabricate ferroelectric memory devices. Films of amorphous SBT can be formed by CVD and then ferroannealed to produce films with Aurivillius phase composition having superior ferroelectric properties suitable for manufacturing high density FRAMs.

Een proces dat van lage temperatuurcCvd voorloper een van het tris (beta.-diketonate) gebruikt bismut voor deposito van bismut ceramische dunne films geschikt voor integratie om ferroelectric geheugenapparaten te vervaardigen. De films van amorfe SBT kunnen door CVD worden gevormd en ferroannealed toen om films met Aurivillius fasesamenstelling te produceren die superieure ferroelectric eigenschappen geschikt voor productie high-density FRAMs heeft.