Disclosed is an organic insulating layer that is formed on an insulating
substrate for an LCD having a gate electrode, a semiconductor layer, and a
source and drain electrode, and that is patterned to form a contact hole
exposing the drain electrode. The organic insulating layer is treated with
argon plasma to remove residues of the organic insulating layer and to
increase its surface roughness. Next, a transparent insulating layer, such
as an ITO layer, is deposited and patterned to form a pixel electrode
connected to the drain electrode through the contact hole. By this method,
contact resistance between the pixel electrode and the drain electrode is
reduced. The transparent electrode pattern is prevented from being
over-etched and undercut during wet etch patterning because the adhesion
between the organic insulating layer and the transparent conducting layer
is strengthened. As a result, the width uniformity of the transparent
electrode pattern is increased.
È rilevato uno strato isolare organico che è formato su un substrato isolante per un LCD che ha un elettrodo di cancello, uno strato a semiconduttore e una fonte e un elettrodo dello scolo e che è modellato per formare un foro del contatto che espone l'elettrodo dello scolo. Lo strato isolante organico è trattato con il plasma dell'argon per rimuovere i residui dello strato isolante organico e per aumentare la relativa rugosità di superficie. Dopo, uno strato isolante trasparente, quale uno strato di ITO, è depositato e modellato per formare un elettrodo del pixel collegato all'elettrodo dello scolo attraverso il foro del contatto. Con questo metodo, la resistenza del contatto fra l'elettrodo del pixel e l'elettrodo dello scolo è ridotta. Il modello trasparente dell'elettrodo è evitato sopra-essere inciso e tagliato durante incissione all'acquaforte bagnata che modella perché l'adesione fra lo strato isolante organico e lo strato di condotta trasparente è rinforzata. Di conseguenza, l'uniformità di larghezza del modello trasparente dell'elettrodo è aumentata.