A method for manufacturing an integrated circuit structure is provided having a semiconductor substrate and depositing a layer to be patterned on the semiconductor substrate. An organic anti-reflection coating is deposited on the layer to be patterned and then an organic photoresist on the anti-reflection coating. The photoresist is patterned and developed to form an opening having side walls and to expose a portion of the anti-reflection coating. The photoresist and the exposed portion of the anti-reflection coating adsorb non-active molecules. A unidirectional electron-ion bombardment causes desorption of non-active molecules that gives access of active molecules to the exposed surface of the anti-reflection coating. Bombardment also causes decomposition of non-active molecules on the exposed surfaces, which produces active atoms. Both processes provide unidirectional removal of the anti-reflection coating without attacking the photoresist side walls and underlying layers.

Um método para manufaturar uma estrutura do circuito integrado é fornecido tendo uma carcaça do semicondutor e depositando uma camada a ser modelada na carcaça do semicondutor. Um revestimento orgânico do anti-reflection é depositado na camada a ser modelados e então em um photoresist orgânico no revestimento do anti-reflection. O photoresist é modelado e desenvolvido para dar forma a uma abertura que tem paredes laterais e para expo uma parcela do revestimento do anti-reflection. O photoresist e a parcela exposta do revestimento do anti-reflection adsorb moléculas non-active. Um bombardeio unidirectional do elétron-íon causa o desorption de moléculas non-active que dá o acesso de moléculas ativas à superfície exposta do revestimento do anti-reflection. O bombardeio causa também o decomposition de moléculas non-active nas superfícies expostas, que produz átomos ativos. Ambos os processos fornecem a remoção unidirectional do anti-reflection que reveste sem atacar as paredes laterais do photoresist e as camadas subjacentes.