A projection microlithography system that can pattern very large, curved substrates at very high exposure speeds and any desired image resolution, the substrates being permitted to have arbitrary curvature in two dimensions. The substrate is held rigidly on a scanning stage, on which is also mounted a mask containing the pattern to be formed on the substrate. The mask is imaged on the substrate by a projection subsystem which is stationary and situated above the scanning stage. The mask is illuminated with a polygonal illumination beam which causes a patterned region of similar shape to be imaged on the substrate. Different regions of the substrate are moved in a direction parallel to the direction of the optical axis at the substrate (z-axis) by suitable amounts to keep the segment being exposed within the depth of focus of the imaging lens. The stage is programmed to scan the mask and substrate simultaneously across the polygonal regions so as to pattern the whole mask. Suitable overlap between the complementary intensity profiles produced by the polygonal illumination configuration ensures seamless joining of the scans. This microlithography system includes opto-mechanical mechanisms for dynamically sensing the substrate height at each point, for moving the substrate in the z-dimension, and/or configuring the focal plane of the projection subsystem so as to always keep the substrate region being exposed within the depth of focus of the projection subsystem.

Система microlithography проекции может сделать по образцу очень большой, изогнутые субстраты на очень высоких скоростях выдержки и любое заданное разрешение изображения, субстраты будучи позволянной иметь произвольную погнутость в 2 размерах. Субстрат держится твердо на этапе скеннирования, на котором также установлена маска содержа картину, котор нужно сформировать на субстрате. Маска imaged на субстрате подсистемой проекции неподвижно и расположено над этапом скеннирования. Маска загорана с полигональным лучем освещения причиняет сделанную по образцу зону подобной формы быть imaged на субстрате. По-разному зоны субстрата двинуты в направление параллельное к направлению оптически оси на субстрате (з-osi) целесообразным количеством для того чтобы держать этап будучи подверганной действию в пределах глубины фокуса объектива воображения. Этап запрограммирован для того чтобы просмотреть маску и субстрат одновременно через полигональные зоны для того чтобы сделать по образцу всю маску. Целесообразное перекрытие между комплементарными профилями интенсивности произведенными полигональной конфигурацией освещения обеспечивает безшовный соединять разверток. Эта система microlithography вклюает опто-mexaniceski механизмы для dynamically воспринимать высоту субстрата на каждый этап, для двигать субстрат в з-razmer, and/or устанавливать фокальная плоскость подсистемы проекции всегда для того чтобы держать зону субстрата будучи подверганной действию в пределах глубины фокуса подсистемы проекции.