According to the another aspect of the invention, a magnetoresistance effect element having a magnetoresistance effect film which includes a crystal growth controlling layer as one of films therein, characterized in that a roughness along a boundary between films overlying said crystal growth controlling layer is smaller than a roughness along a boundary between films underlying said crystal growth controlling layer is provided. According to the another aspect of the invention, a magnetoresistance effect element comprising a free layer, pinned layer and a non-magnetic intermediate layer interposed between said free layer and pinned layer, characterized in further comprising a metal barrier layer provided adjacent to said first magnetic layer, and an electron reflecting layer located adjacent to said metal barrier layer and containing at least one selected from oxides, nitrides, carbides, fluorides, chlorides, sulfides and borides is also provided.

Согласно другому аспекту вымысла, обеспечен элемент влияния magnetoresistance имея пленку влияния magnetoresistance которая вклюает слой роста кристалла контролируя как одна из пленок в этом, котор характеризуют в что шершавость вдоль границы между слоем роста кристалла пленок overlying сказанным контролируя более мала чем шершавость вдоль границы между слоем роста кристалла пленок основным сказанным контролируя. Согласно другому аспекту вымысла, элемент влияния magnetoresistance состоя из свободно слоя, прикалыванного слоя и немагнитного промежуточного слоя interposed между сказанным свободно слоем и прикалыванным слоем, котор характеризуют в более далее состоять из слоя барьера металла обеспеченного за сказанным первым магнитным слоем, и слоем электрона отражая расположенным за сказанным слоем барьера металла и содержать по крайней мере одно выбрал от окисей, нитридов, карбидов, фторидов, хлоридов, сульфидов и бориды также обеспечены.