A method of growing a Group III or Group III-V nitride layer on a semiconductor substrate includes the steps of: locating, within a chamber, the semiconductor substrate having on its surface a Group III-V semiconductor layer incorporating a substance which is strongly reactive with nitrogen; and subsequently effecting nitridation of the Group III-V semiconductor layer by introducing a species containing nitrogen into the chamber to cause a reaction between the nitrogen and the substance.

Un método de crecer a un grupo III o capa del nitruro del grupo III-V en un substrato del semiconductor incluye los pasos de: localizando, dentro de un compartimiento, el substrato del semiconductor que tiene en su superficie a capa del semiconductor del grupo III-V que incorpora una sustancia que es fuertemente reactiva con nitrógeno; y posteriormente efectuando el nitridation de la capa del semiconductor del grupo III-V introduciendo una especie que contiene el nitrógeno en el compartimiento para causar una reacción entre el nitrógeno y la sustancia.