A new method and apparatus for avoiding contamination of films deposited in layered depositions, such as Atomic Layer Deposition (ALD) and other sequential chemical vapor deposition (CVD) processes, is taught, wherein CVD-deposited contamination of ALD films is prevented by use of a pre-reaction chamber that effectively causes otherwise-contaminating gaseous constituents to deposit on wall elements of gas-delivery apparatus prior to entering the ALD chamber.

Eine neue Methode und ein Apparat für das Vermeiden von von Verschmutzung der Filme, die in überlagerten Absetzungen, wie Atomschicht-Absetzung (ALD) niedergelegt werden und anderen aufeinanderfolgenden Prozessen der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD), wird unterrichtet, worin CVD-deposited Verschmutzung der ALD Filme mittels einen Vorreaktion Raum verhindert wird, der effektiv die Ursachen, die gasförmige Bestandteile andernfalls-verschmutzen, um auf Wandelementen der Gas-Anlieferung Apparate vor dem Eintragen des ALD Raumes niederzulegen.