An integrated memory includes word lines and bit lines intersecting each other at crossover points. The bit lines are combined into bit line pairs and the bit line pairs are interleaved by having at least one of the bit lines of one bit line pair disposed between the two bit lines of another bit line pair. 2-transistor/2-capacitor memory cells each have two 1-transistor/1-capacitor memory cells each disposed at a respective one of the crossover points. Each of the two 1-transistor/1-capacitor memory cells of the 2-transistor/2capacitor memory cells have a selection transistor connected to one of the two bit lines of a respective one of the bit line pairs and to at least one of the word lines. The selection transistors may be simultaneously activated for simultaneously accessing the two 1-transistor/1-capacitor memory cells of one of the 2-transistor/2-capacitor memory cell.

Μια ενσωματωμένη μνήμη περιλαμβάνει τις γραμμές λέξης και δάγκωσε τις γραμμές που κόβουν η μια την άλλη στα σημεία διασταυρώσεων. Οι γραμμές κομματιών συνδυάζονται στα ζευγάρια γραμμών κομματιών και τα ζευγάρια γραμμών κομματιών παρεμβάλλονται λευκές σελίδες από την κατοχή τουλάχιστον μιας από τις γραμμές κομματιών μια δάγκωσαν το ζευγάρι γραμμών που διατίθεται μεταξύ των γραμμών δύο μπιτ ενός άλλου ζευγαριού γραμμών κομματιών. 2-τρανσηστορ/2-πυκνωτής τα κύτταρα κάθε ένα μνήμης έχουν δύο κύτταρα κάθε ένα μνήμης 1-τρανσηστορ/1-πυκνωτών που διατίθεται αντίστοιχο ένα από τα σημεία διασταυρώσεων. Κάθε ένα από τα δύο κύτταρα μνήμης 1-τρανσηστορ/1-πυκνωτών των κυττάρων μνήμης 2- transistor/2capacitor συνδέει μια κρυσταλλολυχνία επιλογής με μια από τις γραμμές δύο μπιτ αντίστοιχο ένα από τα ζευγάρια γραμμών κομματιών και με τουλάχιστον μια από τις γραμμές λέξης. Οι κρυσταλλολυχνίες επιλογής μπορούν να ενεργοποιηθούν ταυτόχρονα για ταυτόχρονα να άσχουν πρόσβαση στα δύο κύτταρα μνήμης 1-τρανσηστορ/1-πυκνωτών ένα από το κύτταρο μνήμης 2-τρανσηστορ/2-πυκνωτών.