The same information is stored in two memory cells (26 and 26') and the two memory cells are connected in parallel (OR) at a normal reading to synthesize an electric current in conformity with information in the two memory cells. Even if a floating gate and drain are shorted with each other in a storage transistor in one of the memory cells when a tunnel oxide film is deteriorated, destroyed or shorted by a high-tension stress, the discriminating voltage of a sense amplifier is determined so as to ensure normal reading of information in the other memory cell. The two memory cells are separated at test-reading for independent operations to ensure individual testing each memory cell.

La même information est stockée en deux cellules de mémoire (26 et 26 ') et les deux cellules de mémoire sont reliées en parallèle (OU) à une lecture normale synthétisent un courant électrique conformément à l'information dans les deux cellules de mémoire. Même si une porte et un drain flottants sont court-circuités avec l'un l'autre dans un transistor de stockage dans une des cellules de mémoire quand un film d'oxyde de tunnel est détérioré, détruit ou court-circuité par un effort haute tension, la tension distinctive d'un amplificateur de sens est déterminée afin d'assurer la lecture normale d'information dans l'autre cellule de mémoire. Les deux cellules de mémoire sont séparées à l'essai-lecture pour que des opérations indépendantes assurent l'individu examinant chaque cellule de mémoire.