Wires are provided on an insulating layer, reaching the source region and drain region of a MOS transistor. Each wire is composed of a conductor and a barrier layer covering the surfaces of the conductor. An insulating layer is mounted on the wires, an insulating layer on the insulating layer, and an insulating layer on the insulating layer. Cavities are provided among the wires. The cavities are filled with air or a mixture gas of oxygen and carbon dioxide. Wires are provided on the insulating layer. Cavities are provided among the wires. These cavities are filled with air or a mixture gas of oxygen and carbon dioxide.

Leitungen werden auf einer Isolierschicht zur Verfügung gestellt und erreichen die Quellregion und Abflußregion eines MOS Transistors. Jede Leitung besteht aus einem Leiter und einer Grenzschicht, welche die Oberflächen des Leiters umfassen. Eine Isolierschicht wird an den Leitungen, eine Isolierschicht auf der Isolierschicht und einer Isolierschicht auf der Isolierschicht angebracht. Räum werden unter den Leitungen zur Verfügung gestellt. Die Räum werden mit Luft oder einem Mischung Gas des Sauerstoffes und des Kohlendioxyds gefüllt. Leitungen werden auf der Isolierschicht zur Verfügung gestellt. Räum werden unter den Leitungen zur Verfügung gestellt. Diese Räum werden mit Luft oder einem Mischung Gas des Sauerstoffes und des Kohlendioxyds gefüllt.