Wires are provided on an insulating layer, reaching the source region and drain region of a MOS transistor. Each wire is composed of a conductor and a barrier layer covering the surfaces of the conductor. An insulating layer is mounted on the wires, an insulating layer on the insulating layer, and an insulating layer on the insulating layer. Cavities are provided among the wires. The cavities are filled with air or a mixture gas of oxygen and carbon dioxide. Wires are provided on the insulating layer. Cavities are provided among the wires. These cavities are filled with air or a mixture gas of oxygen and carbon dioxide.

Τα καλώδια παρέχονται σε ένα στρώμα μόνωσης, που φθάνει στην περιοχή πηγής και την περιοχή αγωγών μιας κρυσταλλολυχνίας MOS. Κάθε καλώδιο αποτελείται από έναν αγωγό και ένα στρώμα εμποδίων που καλύπτουν τις επιφάνειες του αγωγού. Ένα στρώμα μόνωσης τοποθετείται στα καλώδια, ένα στρώμα μόνωσης στο στρώμα μόνωσης, και ένα στρώμα μόνωσης στο στρώμα μόνωσης. Οι κοιλότητες παρέχονται μεταξύ των καλωδίων. Τις κοιλότητες γεμίζουν με τον αέρα ή ένα μίγμα αέριο οξυγόνου και διοξειδίου του άνθρακα. Τα καλώδια παρέχονται στο στρώμα μόνωσης. Οι κοιλότητες παρέχονται μεταξύ των καλωδίων. Αυτές τις κοιλότητες γεμίζουν με τον αέρα ή ένα μίγμα αέριο οξυγόνου και διοξειδίου του άνθρακα.